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外部環(huán)境溫度與內(nèi)部氣壓對HVDC GIL表面電荷積聚的影響

絕緣材料 頁數(shù): 8 2024-07-29
摘要: 盆式絕緣子的表面電荷積聚是制約高壓直流GIL發(fā)展的重要因素之一,而GIL內(nèi)部熱傳遞過程會加劇表面電荷的積聚進程。本文建立了電荷積聚的電-熱場耦合數(shù)學模型,模擬了不同外部環(huán)境溫度和內(nèi)部氣體壓力下高壓直流GIL內(nèi)部溫度隨時間的變化情況,進一步研究了外部環(huán)境溫度恒定及時變情況下的表面電荷積聚特征,并分析了其對表面電荷積聚的影響。結(jié)果表明:在外部環(huán)境溫度為恒定值的情況下,外部溫度每升高... (共8頁)

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