單晶4H-SiC的摩擦誘導化學機械復合加工(FCMM)實驗研究

摘要： 單晶碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料性能成為下一代電力電子器件和光電子器件的優(yōu)選襯底材料,但碳化硅的高硬脆性，強化學惰性對其高效精密加工帶來了巨大挑戰(zhàn)。提出一種基于摩擦誘導化學作用與低硬度磨粒機械作用復合的SiC晶片加工新思路。跟蹤了4H-SiC在不同鐵基燒結盤以及不同加工工藝參數下材料去除率隨時間的變化；檢測了加工后晶片的表面質量及亞表面損傷。實驗結果表明摩擦誘導化學機械復合... （共10頁）