碳化硅納米拋光亞表面損傷機理的分子動力學(xué)模擬

摘要： 碳化硅(SiC)在表面微納加工過程中損傷機理的研究不足限制了SiC的加工表面質(zhì)量及應(yīng)用，因此了解不同拋光參數(shù)下SiC的損傷機理對提高SiC的納米加工表面質(zhì)量具有重要意義。采用分子動力學(xué)模擬研究了單晶SiC在納米拋光過程中的亞表面損傷機理，并考慮了拋光速度和拋光深度的影響。結(jié)果表明，隨著拋光深度的增加，SiC的去除機制逐漸由以黏附和犁溝機制為主轉(zhuǎn)變?yōu)橐郧邢鳈C制為主。微裂紋通過滑移... （共10頁）