SiC MOSFET測試系統(tǒng)設計與開關特性分析

摘要： 以碳化硅金屬-氧化物半導體場效應晶體管(SiC MOSFET)為代表的第3代半導體功率器件因其優(yōu)異的開關特性,在新能源等領域被廣泛應用,但面對高速開關耦合寄生參數(shù)所產(chǎn)生的負面效應,使得測試系統(tǒng)難以快速、準確評估其開關瞬態(tài)等相關參數(shù)。首先,根據(jù)改進的雙脈沖模型設計了一種高精度測試系統(tǒng),硬件主要包括功率測試板、集成脈沖發(fā)生器的控制板及驅(qū)動板,軟件主要利用Keil編寫控制板程序,La... （共4頁）