散熱底板對(duì)IGBT模塊功率循環(huán)老化壽命的影響

摘要： 功率半導(dǎo)體模塊通常采用減小結(jié)殼熱阻的方式來降低工作結(jié)溫，集成Pin-Fin基板代替平板基板是一種有效的選擇。兩種封裝結(jié)構(gòu)的熱阻抗特性不同，可能對(duì)其失效機(jī)理及應(yīng)用壽命產(chǎn)生影響。針對(duì)平板基板和集成Pin-Fin基板兩種常見車規(guī)級(jí)IGBT模塊進(jìn)行了相同熱力測(cè)試條件（結(jié)溫差100 K，最高結(jié)溫150℃）下的功率循環(huán)試驗(yàn)，結(jié)果表明，散熱更強(qiáng)的Pin-Fin模塊功率循環(huán)壽命低于平板模塊。失... （共11頁）