質(zhì)子輻照對(duì)CMOS圖像傳感器傳輸柵損傷效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)與分析
光學(xué)學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù): 7 2024-05-10
摘要: 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器(CIS)是一種當(dāng)前應(yīng)用非常廣泛的光電圖像傳感器,其應(yīng)用在空間輻射環(huán)境中時(shí)遭受的質(zhì)子輻照損傷問(wèn)題一直備受關(guān)注。為了分析CIS內(nèi)部重要結(jié)構(gòu)受輻射損傷影響及輻照損失機(jī)理,開(kāi)展了關(guān)于CIS傳輸柵的質(zhì)子輻照實(shí)驗(yàn),通過(guò)測(cè)試輻照前后轉(zhuǎn)移特性曲線并提取閾值電壓和飽和輸出電流,總結(jié)CIS傳輸柵的輻照損傷實(shí)驗(yàn)規(guī)律。對(duì)常溫下經(jīng)過(guò)輻照后的CIS開(kāi)展了退火測(cè)試,分析相關(guān)特... (共7頁(yè))