硅片近邊緣形態(tài)的研究進展

摘要： 關(guān)于硅片近邊緣形態(tài)已有的研究主要集中在評價方法、工藝改進以及加工裝置上。國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）標準量化評價硅片近邊緣形態(tài)，約定了有關(guān)硅片近邊緣卷曲度（ROA）、近邊緣曲率、近邊緣局部平整度、近邊緣不完整區(qū)域局部平整度的評價方法，可以依據(jù)不同的應(yīng)用場景選擇適合的評價方法來判斷近邊緣形態(tài)。對于硅片近邊緣形態(tài)的測量手段，可以分為近邊緣卷曲（ERO）和近邊緣微粗糙度兩個方面。探... （共8頁）