環(huán)境溫度對HfO₂鐵電存儲器的質(zhì)子輻照效應影響研究

摘要： 基于HfO₂的鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)具有功耗低、存取速度快，易于小型化，抗干擾能力強等優(yōu)勢，在航天航空領域有廣袤的發(fā)展空間。然而，F(xiàn)eRAM在太空環(huán)境下的抗輻照性能尚未得到全面的研究。研究了W/TiN/Hf_(0.5)Zr_(0.5)O₂(HZO)/TiN鐵電存儲器在常溫和高溫環(huán)境下經(jīng)5 MeV質(zhì)子輻照后的電學特性和鐵電疇結構變化。通過電學和壓電響應力顯微鏡(PF... （共8頁）