執(zhí)軌道轉移力矩之筆,書寫磁隨機存儲器新篇章

摘要： <正>磁隨機存取存儲器(magnetoresistive random access memory, MRAM)以其高能效和快速的數據存儲能力在大數據時代備受關注~([1,2]).在MRAM單元中,數據通過兩個鐵磁層磁化狀態(tài)的平行和反平行排列以低電阻態(tài)和高電阻態(tài)形式存儲在磁隧道結(magnetic tunnel junction, MTJ)中~([3,4]). （共3頁）