重離子輻照引發(fā)的25nm NAND Flash存儲器數據位翻轉

摘要： 為研究不同注量下浮柵存儲單元位翻轉特點及其翻轉截面變化，以及重離子入射導致的多單元翻轉，以兩款25 nm NAND Flash存儲器為載體開展了重離子實驗研究。實驗結果表明，單個重離子在擊中存儲單元靈敏體積的情況下足以引起位翻轉，位翻轉比率隨著注量累積基本呈線性變化。由于處于編程狀態(tài)閾值電壓分布低壓區(qū)的存儲單元傾向于在相鄰或靠近的地址上集中分布，隨著注量累積，這類存儲單元數量迅... （共10頁）