MLCC

       貼片電容有兩種表示方法，一種是英寸單位來表示，一種是毫米單位來表示。

命名

       貼片電容的命名所包含的參數(shù)有貼片電容的尺寸、做這種貼片電容用的材質(zhì)、要求達(dá)到的精度、要求的電壓、要求的容量、端頭的要求以及包裝的要求。一般訂購貼片電容需提供的參數(shù)要有尺寸的大小、要求的精度、電壓的要求、容量值、以及要求的品牌即可。

       貼片電容的命名：

       0805CG102J500NT 0805：是指該貼片電容的尺寸大小，是用英寸來表示的08 表示長度是0.08 英寸、05 表示寬度為 0.05 英寸 CG ：是表示做這種電容要求用的材質(zhì)，這個(gè)材質(zhì)一般適合于做小于10000PF以下的電容，102 ：是指電容容量，前面兩位是有效數(shù)字、后面的2 表示有多少個(gè)零102=10×100 也就是= 1000PF J：是要求電容的容量值達(dá)到的誤差精度為5%，介質(zhì)材料和誤差精度是配對(duì)的 500：是要求電容承受的耐壓為50V 同樣500 前面兩位是有效數(shù)字，后面是指有多少個(gè)零。 N：是指端頭材料，一般的端頭都是指三層電極（銀/銅層）、鎳、錫 T：是指包裝方式，T 表示編帶包裝， 貼片電容的顏色，常規(guī)見得多的就是比紙板箱淺一點(diǎn)的黃，和青灰色，這在具體的生產(chǎn)過程中會(huì)有產(chǎn)生不同差異 貼片電容上面沒有印字，這是和他的制作工藝有關(guān)（貼片電容是經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)面成，所以沒辦法在它的表面印字），而貼片電阻是絲印而成（可以印刷標(biāo)記）。

       貼片電容額定電壓從4V到4KV（DC），有中高壓貼片電容和普通貼片電容，當(dāng)額定電壓在100V及以上時(shí)，即歸納為中高壓產(chǎn)品。系列電壓有6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、 4000V 貼片電容的尺寸表示法有兩種，一種是英寸為單位來表示，一種是以毫米為單位來表示，貼片電容系列的型號(hào)有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225 等。 貼片電容的材料常規(guī)分為三種，NP0,X7R,Y5V NP0 此種材質(zhì)電性能最穩(wěn)定，幾乎不隨溫度，電壓和時(shí)間的變化而變化，適用于低損耗，穩(wěn)定性要求要的高頻電路。

       容量精度在5%左右，但選用這種材質(zhì)只能做容量較小的，常規(guī)100PF 以下，100PF- 1000PF 也能生產(chǎn)但價(jià)格較高 X7R 此種材質(zhì)比NP0 穩(wěn)定性差，但容量做的比NP0 的材料要高，容量精度在10%左右。 Y5V 此類介質(zhì)的電容，其穩(wěn)定性較差，容量偏差在20%左右，對(duì)溫度電壓較敏感，但這種材質(zhì)能做到很高的容量，而且價(jià)格較低，適用于溫度變化不大的電路中。

功能用途

1、旁路

       旁路電容是為本地器件提供能量的儲(chǔ)能器件，它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化，降低負(fù)載需求。 就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進(jìn)行放電。為盡量減少阻抗，旁路電容要盡量靠近負(fù)載器件的供電電源管腳和地管腳。 這能夠很好地防止輸入值過大而導(dǎo)致的地電位抬高和噪聲。地電位是地連接處在通過大電流毛刺時(shí)的電壓降。

2、去耦

       去耦，又稱解耦。 從電路來說， 總是可以區(qū)分為驅(qū)動(dòng)的源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大， 驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電、放電， 才能完成信號(hào)的跳變，在上升沿比較陡峭的時(shí)候，電流比較大， 這樣驅(qū)動(dòng)的電流就會(huì)吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會(huì)產(chǎn)生反彈），這種電流相對(duì)于正常情況來說實(shí)際上就是一種噪聲，會(huì)影響前級(jí)的正常工作，這就是所謂的“耦合”。

       去耦電容就是起到一個(gè)“電池”的作用，滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。

       將旁路電容和去耦電容結(jié)合起來將更容易理解。旁路電容實(shí)際也是去耦合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關(guān)噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合電容的容量一般較大，可能是10μF 或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)、以及驅(qū)動(dòng)電流的變化大小來確定。旁路是把輸入信號(hào)中的干擾作為濾除對(duì)象，而去耦是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象，防止干擾信號(hào)返回電源。這應(yīng)該是他們的本質(zhì)區(qū)別。

3、濾波

       從理論上（即假設(shè)電容為純電容）說，電容越大，阻抗越小，通過的頻率也越高。但實(shí)際上超過1μF 的電容大多為電解電容，有很大的電感成份，所以頻率高后反而阻抗會(huì)增大。有時(shí)會(huì)看到有一個(gè)電容量較大電解電容并聯(lián)了一個(gè)小電容，這時(shí)大電容通低頻，小電容通高頻。電容的作用就是通高阻低，通高頻阻低頻。電容越大低頻越容易通過。具體用在濾波中,大電容（1000μF）濾低頻，小電容（20pF）濾高頻。曾有網(wǎng)友形象地將濾波電容比作“水塘”。由于電容的兩端電壓不會(huì)突變，由此可知，信號(hào)頻率越高則衰減越大，可很形象的說電容像個(gè)水塘，不會(huì)因幾滴水的加入或蒸發(fā)而引起水量的變化。它把電壓的變動(dòng)轉(zhuǎn)化為電流的變化，頻率越高，峰值電流就越大，從而緩沖了電壓。濾波就是充電，放電的過程。

4、儲(chǔ)能

       儲(chǔ)能型電容器通過整流器收集電荷，并將存儲(chǔ)的能量通過變換器引線傳送至電源的輸出端。電壓額定值為40～450VDC、電容值在220～150 000μF 之間的鋁電解電容器（如EPCOS 公司的B43504 或B43505）是較為常用的。根據(jù)不同的電源要求，器件有時(shí)會(huì)采用串聯(lián)、并聯(lián)或其組合的形式，對(duì)于功率級(jí)超過10KW 的電源，通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。

內(nèi)部結(jié)構(gòu)

       它的外表是陶瓷做的，但不止只有一種，它還分玻璃電容、油紙電容、電解電容等。

       通常所說的陶瓷貼片電容是指MLCC,即多層陶瓷片式電容(Multilayer Ceramic Capacitors)。

       常規(guī)貼片電容按材料分為C0G(NP0),X7R,Y5V,其引腳封裝有0201,0402,0603.0805.1206,1210,1812,1825,2225.

       多層陶瓷電容(MLCC)是由平行的陶瓷材料和電極材料層疊而成。

貼片電容的分類

       一 NP0電容器

       二 X7R電容器

       三 Z5U電容器

       四 Y5V電容器

       區(qū)別：NP0、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。

NP0電容器

       NP0是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。

       NP0電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NP0電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對(duì)大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對(duì)使用壽命的變化小于±0.1%。NP0電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NP0電容器可選取的容量范圍。

       封 裝 DC=50V DC=100V

       0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

       1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

       1210 560---5600pF 560---2700pF

       2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

       NP0電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。

X7R電容器

       X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到 125℃時(shí)其容量變化為15%，需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。

       X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時(shí)間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。

       X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。

       封 裝 DC=50V DC=100V

       0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF

       1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF

       1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF

       2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF

Z5U電容器

       Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對(duì)于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對(duì)于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達(dá)每10年下降5%。

       盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應(yīng)，使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。

       封 裝 DC=25V DC=50V

       0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF

       1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF

       1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF

       2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF

       Z5U電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:

       工作溫度范圍10℃ --- 85℃

       溫度特性 22% ---- -56%

       介質(zhì)損耗 最大 4%

Y5V電容器

       Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達(dá) 22%到-82%。

       Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)4.7μF電容器。

       Y5V電容器的取值范圍如下表所示

       封 裝 DC=25V DC=50V

       0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF

       1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF

       1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF

       2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF

       Y5V電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:

       工作溫度范圍 -30℃ --- 85℃

       溫度特性 22% ---- -82%

       介質(zhì)損耗 最大 5%

       貼片電容器命名方法可到AVX網(wǎng)站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。

尺寸

       貼片電容,是由印好電極(內(nèi)電極)的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合而成,經(jīng)過一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片,再在芯片的兩端封上金屬層(外電極),從而形成一個(gè)類似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體,故也稱為獨(dú)石電容器。貼片電容有兩種尺寸表示方法，一種是以英寸為單位來表示，一種是以毫米為單位來表示，貼片電容的系列型號(hào)有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，這些是英寸表示法， 04 表示長度是0.04 英寸，02 表示寬度0.02 英寸，其他類同型號(hào)尺寸（mm）

       英制尺寸 公制尺寸 長度及公差 寬度及公差 厚度及公差

       0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05

       0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10

       0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20

       1206 3216 3.00±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20

       1210 3225 3.00±0.30 2.54±0.30 1.25±0.30 1.50±0.30

       1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00

       1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50

       2220 57505.70±0.40 5.00±0.30 ≤2.50

       2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50

       3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00

       貼片電容的顏色，常規(guī)見得多的就是比紙板箱淺一點(diǎn)的黃，和青灰色，這在具體的生產(chǎn)過程中會(huì)有產(chǎn)生不同差異。

封裝

       MLCC（多層陶瓷電容器）的封裝是電子元器件制造過程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，它直接關(guān)系到電容器的性能、尺寸和可靠性。以下是關(guān)于MLCC封裝的詳細(xì)解析：

一、封裝類型

       MLCC的封裝類型主要分為有機(jī)封裝和金屬封裝兩種：

       有機(jī)封裝：這種封裝方式適用于低電容量的MLCC。它通過將MLCC放置在有機(jī)材料中進(jìn)行封裝，以達(dá)到保護(hù)電容器和提供電氣連接的目的。

       金屬封裝：適用于高電容量的MLCC。金屬封裝不僅提供了良好的保護(hù)，還有助于散熱，確保電容器在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性。

二、封裝工藝

       MLCC的封裝工藝主要包括以下幾個(gè)步驟：

       1、制備電極：通過印刷或離子蒸鍍等方法，在陶瓷片上制備出金屬電極。電極材料通常由銀、銅和鎳等組成，這些材料具有良好的導(dǎo)電性和穩(wěn)定性。

       2、堆疊疊層：將制備好的陶瓷片和金屬電極層按照順序堆疊在一起，形成具有多個(gè)電極層的結(jié)構(gòu)。這個(gè)過程中需要嚴(yán)格控制層與層之間的對(duì)齊和間距，以確保電容器的性能。

       3、壓片：使用高壓機(jī)將堆疊好的陶瓷片和電極層壓制成一個(gè)整體，確保層與層之間的結(jié)合緊密。這一步對(duì)于提高電容器的機(jī)械強(qiáng)度和電氣性能至關(guān)重要。

       4、切割：將壓制好的多層結(jié)構(gòu)切割成單個(gè)的MLCC組件。切割過程需要嚴(yán)格控制尺寸和質(zhì)量，以確保每個(gè)電容器的性能一致。

       5、焊接引線：將需要的引線焊接到MLCC的電極上，通常采用焊錫或焊料的方式進(jìn)行連接。這一步是電容器與外部電路連接的關(guān)鍵步驟。

       6、封膠：在引線焊接完成后，使用封膠材料將引線部分進(jìn)行封閉，以保護(hù)引線的連接并提高電容器的穩(wěn)定性和可靠性。

三、封裝特點(diǎn)

       隨著電子產(chǎn)品向數(shù)字化、小型化、高速化、高頻化方向發(fā)展，MLCC的封裝也呈現(xiàn)出一些新的特點(diǎn)：

       超微型化：為了適應(yīng)芯片內(nèi)部空間小的需求，MLCC的封裝尺寸不斷縮小。目前量產(chǎn)的典型尺寸是01005，還有更小的008004尺寸。

       高耐溫性：針對(duì)高溫環(huán)境下的應(yīng)用需求，開發(fā)出了能夠在更高溫度下穩(wěn)定工作的高耐溫MLCC。

       射頻性能優(yōu)化：為了滿足射頻芯片對(duì)配套元器件的高性能要求，推出了具有低ESR（等效串聯(lián)電阻）、強(qiáng)抗干擾、高SRF（自諧振頻率）等特性的射頻MLCC。

       倒置式設(shè)計(jì)：通過倒置MLCC的長寬比例和縮短內(nèi)電極長度等設(shè)計(jì)手段，降低了高頻電流路徑的ESL（等效串聯(lián)電感），提高了射頻信號(hào)的保真度。

四、封裝對(duì)性能的影響

       MLCC的封裝方式對(duì)其性能有著重要影響。不同的封裝材料和工藝會(huì)導(dǎo)致電容器在電氣性能、機(jī)械強(qiáng)度、散熱性能等方面表現(xiàn)出不同的特點(diǎn)。因此，在選擇MLCC時(shí)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景和需求來選擇合適的封裝類型和規(guī)格。

       綜上所述，MLCC的封裝是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過程，它涉及到多個(gè)工藝步驟和關(guān)鍵參數(shù)的控制。通過不斷優(yōu)化封裝工藝和設(shè)計(jì)手段，可以制造出性能更優(yōu)異、尺寸更小巧、可靠性更高的MLCC產(chǎn)品，以滿足電子產(chǎn)品不斷發(fā)展的需求。

電容的作用

       1.旁路

       旁路電容是為本地器件提供能量的儲(chǔ)能器件，它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化，降低負(fù)載需求。 就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進(jìn)行放電。為盡量減少阻抗，旁路電容要盡量靠近負(fù)載器件的供電電源管腳和地管腳。 這能夠很好地防止輸入值過大而導(dǎo)致的地電位抬高和噪聲。地電位是地連接處在通過大電流毛刺時(shí)的電壓降。

       2.去耦

       去耦，又稱解耦。 從電路來說， 總是可以區(qū)分為驅(qū)動(dòng)的源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大， 驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電、放電， 才能完成信號(hào)的跳變，在上升沿比較陡峭的時(shí)候，電流比較大， 這樣驅(qū)動(dòng)的電流就會(huì)吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會(huì)產(chǎn)生反彈），這種電流相對(duì)于正常情況來說實(shí)際上就是一種噪聲，會(huì)影響前級(jí)的正常工作，這就是所謂的“耦合”。

       去耦電容就是起到一個(gè)“電池”的作用，滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。

       將旁路電容和去耦電容結(jié)合起來將更容易理解。旁路電容實(shí)際也是去耦合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關(guān)噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合電容的容量一般較大，可能是10μF 或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)、以及驅(qū)動(dòng)電流的變化大小來確定。旁路是把輸入信號(hào)中的干擾作為濾除對(duì)象，而去耦是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象，防止干擾信號(hào)返回電源。這應(yīng)該是他們的本質(zhì)區(qū)別。

       3.濾波

       從理論上（即假設(shè)電容為純電容）說，電容越大，阻抗越小，通過的頻率也越高。但實(shí)際上超過1μF 的電容大多為電解電容，有很大的電感成份，所以頻率高后反而阻抗會(huì)增大。有時(shí)會(huì)看到有一個(gè)電容量較大電解電容并聯(lián)了一個(gè)小電容，這時(shí)大電容通低頻，小電容通高頻。電容的作用就是通高阻低，通高頻阻低頻。電容越大低頻越容易通過。具體用在濾波中,大電容（1000μF）濾低頻，小電容（20pF）濾高頻。曾有網(wǎng)友形象地將濾波電容比作“水塘”。由于電容的兩端電壓不會(huì)突變，由此可知，信號(hào)頻率越高則衰減越大，可很形象的說電容像個(gè)水塘，不會(huì)因幾滴水的加入或蒸發(fā)而引起水量的變化。它把電壓的變動(dòng)轉(zhuǎn)化為電流的變化，頻率越高，峰值電流就越大，從而緩沖了電壓。濾波就是充電，放電的過程。

       4.儲(chǔ)能

       儲(chǔ)能型電容器通過整流器收集電荷，并將存儲(chǔ)的能量通過變換器引線傳送至電源的輸出端。電壓額定值為40～450VDC、電容值在220～150 000μF 之間的鋁電解電容器（如EPCOS 公司的B43504 或B43505）是較為常用的。根據(jù)不同的電源要求，器件有時(shí)會(huì)采用串聯(lián)、并聯(lián)或其組合的形式，對(duì)于功率級(jí)超過10KW 的電源，通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。

工藝流程介紹

       MLCC（Multi-Layer Ceramic Capacitors，片式多層陶瓷電容器）的工藝流程是一個(gè)復(fù)雜且精細(xì)的過程，涉及多個(gè)關(guān)鍵步驟。以下是MLCC工藝流程的詳細(xì)介紹：

一、材料準(zhǔn)備與陶瓷漿料配制

       1、原材料準(zhǔn)備：主要包括陶瓷粉末、金屬電極粉末和有機(jī)溶劑。陶瓷粉末由氧化鈮、氧化鈦等陶瓷材料組成，金屬電極粉末通常由銀、銅和鈷等金屬組成。這些材料需要經(jīng)過篩分、混合和研磨等處理，以獲得所需的顆粒大小和均勻度。

       2、陶瓷漿料配制：將陶瓷粉末、粘合劑及溶劑等按一定比例經(jīng)過球磨機(jī)球磨，形成均勻的陶瓷漿料。這個(gè)過程中，需要控制球磨時(shí)間，以確保漿料的顆粒直徑達(dá)到微米級(jí)。

二、流延與內(nèi)電極印刷

       1、流延：將陶瓷漿料通過流延機(jī)的澆注口，涂布在繞行的PET膜上，形成一層均勻的漿料薄層。隨后，通過熱風(fēng)區(qū)將漿料中的絕大部分溶劑揮發(fā)，再經(jīng)干燥處理，得到陶瓷膜片。膜片的厚度通常在10um-30um之間。

       2、內(nèi)電極印刷：按照工藝要求，通過絲網(wǎng)印版將內(nèi)電極漿料印刷到陶瓷膜片上。這一步驟決定了電極層的錯(cuò)位和電容器的尺寸。

三、疊層與層壓

       1、疊層：將印刷有內(nèi)電極的陶瓷膜片按照設(shè)計(jì)的錯(cuò)位要求疊壓在一起，形成MLCC的巴塊（Bar）。疊層次序和布局可以根據(jù)需要設(shè)計(jì)，以滿足不同電容值和電特性的要求。

       2、層壓：疊層好的巴塊用層壓袋裝好，抽真空包封后，通過等靜壓方式加壓，使巴塊中的層與層之間結(jié)合更加緊密。

四、切割與排膠

       1、切割：層壓好的巴塊被切割成獨(dú)立的電容器生坯。這一步驟需要嚴(yán)格控制尺寸和質(zhì)量，以保證后續(xù)的測(cè)試和包裝過程順利進(jìn)行。

       2、排膠：將電容器生坯放置在承燒板上，按一定的溫度曲線（最高溫度一般在400℃左右）進(jìn)行高溫烘烤，以去除芯片中的粘合劑等有機(jī)物質(zhì)。排膠的作用包括避免燒成時(shí)有機(jī)物質(zhì)的快速揮發(fā)造成產(chǎn)品分層與開裂，以及消除粘合劑在燒成時(shí)的還原作用。

五、燒結(jié)與后處理

       1、燒結(jié)：排膠完成的芯片進(jìn)行高溫處理（一般燒結(jié)溫度在1140℃~1340℃之間），使其形成具有高機(jī)械強(qiáng)度、優(yōu)良電氣性能的陶瓷體。

       2、倒角：燒結(jié)成瓷的電容器與水和磨介裝在倒角罐中，通過球磨、行星磨等方式運(yùn)動(dòng)，形成光潔的表面，以保證產(chǎn)品的內(nèi)電極充分暴露，便于后續(xù)連接。

       3、端接與燒端：將端漿涂覆在經(jīng)倒角處理的芯片外露內(nèi)部電極的兩端上，形成外部電極。隨后進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)，確保內(nèi)外電極的牢固連接。

       4、端頭處理：對(duì)端頭進(jìn)行電鍍處理，如鍍鎳、鍍錫等，以提高其導(dǎo)電性和耐腐蝕性。

六、外觀挑選與測(cè)試

       1、外觀挑選：借助放大鏡或顯微鏡將具有表面缺陷的產(chǎn)品挑選出來。

       2、測(cè)試：對(duì)電容產(chǎn)品的電性能進(jìn)行全面測(cè)試，包括電容值、介電常數(shù)、電阻值等多個(gè)參數(shù)的測(cè)量。測(cè)試的目的是確保MLCC的質(zhì)量和性能達(dá)到規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)。

七、編帶與包裝

       將通過測(cè)試的MLCC組件進(jìn)行封裝和標(biāo)識(shí)，常用的包裝形式有識(shí)別碼封裝、磁帶封裝等。編帶過程確保電容按照尺寸大小和數(shù)量要求包裝在紙帶或塑料袋內(nèi)，便于后續(xù)的生產(chǎn)和使用。

       綜上所述，MLCC的工藝流程是一個(gè)涉及多個(gè)關(guān)鍵步驟的復(fù)雜過程，每一步驟都對(duì)最終產(chǎn)品的性能和質(zhì)量起著決定性的作用。通過這些步驟的精密控制和優(yōu)化，可以制造出高質(zhì)量的MLCC組件，滿足電子設(shè)備對(duì)電容器的需求。