RAM 又名：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

　　特點(diǎn)

　　隨機(jī)存取

　　所謂“隨機(jī)存取”，指的是當(dāng)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r(shí)，所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無(wú)關(guān)。相對(duì)的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(wèn)（Sequential Access）存儲(chǔ)設(shè)備中的信息時(shí)，其所需要的時(shí)間與位置就會(huì)有關(guān)系。它主要用來(lái)存放操作系統(tǒng)、各種應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)等。

　　易失性

　　當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入一個(gè)長(zhǎng)期的存儲(chǔ)設(shè)備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失，而ROM不會(huì)。

　　2、手機(jī)RAM

　　RAM相當(dāng)于運(yùn)行只存內(nèi)存，RAM高會(huì)使手機(jī)在進(jìn)行多任務(wù)時(shí)運(yùn)行更流暢，以及使用多種軟件后仍能保持的流暢。 

　　3、訪問(wèn)速度

現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器幾乎是所有訪問(wèn)設(shè)備中寫入和讀取速度最快的，取存延遲也和其他涉及機(jī)械運(yùn)作的存儲(chǔ)設(shè)備相比，也顯得微不足道。

　　需要刷新（再生）

　　現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器依賴電容器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1(二進(jìn)制)，未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會(huì)漸漸隨時(shí)間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來(lái)的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補(bǔ)流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的易失性。

　　對(duì)靜電敏感

　　正如其他精細(xì)的集成電路，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器對(duì)環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會(huì)干擾存儲(chǔ)器內(nèi)電容器的電荷，引致數(shù)據(jù)流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前，應(yīng)先用手觸摸金屬接地。

　　4、區(qū)別只讀存儲(chǔ)器

　　ROM-read only memory只讀存儲(chǔ)器

　?、俸?jiǎn)單地說(shuō)，在計(jì)算機(jī)中，RAM 、ROM都是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。RAM 是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它的特點(diǎn)是易揮發(fā)性，即掉電失憶。ROM 通常指固化存儲(chǔ)器(一次寫入，反復(fù)讀取)，它的特點(diǎn)與RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和電擦除重寫三種類型。舉個(gè)例子來(lái)說(shuō)也就是，如果突然停電或者沒(méi)有保存就關(guān)閉了文件，那么ROM可以隨機(jī)保存之前沒(méi)有儲(chǔ)存的文件但是RAM會(huì)使之前沒(méi)有保存的文件消失。

　　內(nèi)存

　　在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱內(nèi)存），輔助存儲(chǔ)器又稱外存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱外存）。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤，像硬盤，軟盤，磁帶，CD等，能長(zhǎng)期保存信息，并且不依賴于電來(lái)保存信息，但是由機(jī)械部件帶動(dòng)，速度與CPU相比就顯得慢的多。內(nèi)存指的就是主板上的存儲(chǔ)部件，是CPU直接與之溝通，并用其存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的部件，存放當(dāng)前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，它的物理實(shí)質(zhì)就是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能的集成電路，內(nèi)存只用于暫時(shí)存放程序和數(shù)據(jù)，一旦關(guān)閉電源或發(fā)生斷電，其中的程序和數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。

　　從一有計(jì)算機(jī)開始，就有內(nèi)存。內(nèi)存發(fā)展到今天也經(jīng)歷了很多次的技術(shù)改進(jìn)，從最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM等，內(nèi)存的速度一直在提高且容量也在不斷的增加。今天，服務(wù)器主要使用的是什么樣的內(nèi)存呢？IA架構(gòu)的服務(wù)器普遍使用的是REGISTEREDECCSDRAM。

　　既然內(nèi)存是用來(lái)存放當(dāng)前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，那么它是怎么工作的呢？我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存（即DRAM），動(dòng)態(tài)內(nèi)存中所謂的“動(dòng)態(tài)”，指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間，數(shù)據(jù)會(huì)丟失，因此需要一個(gè)額外設(shè)電路進(jìn)行內(nèi)存刷新操作。具體的工作過(guò)程是這樣的：一個(gè)DRAM的存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無(wú)電荷代表0。但時(shí)間一長(zhǎng)，代表1的電容會(huì)放電，代表0的電容會(huì)吸收電荷，這就是數(shù)據(jù)丟失的原因；刷新操作定期對(duì)電容進(jìn)行檢查，若電量大于滿電量的1/2，則認(rèn)為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于1/2，則認(rèn)為其代表0，并把電容放電，藉此來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。

　　5、存儲(chǔ)單元

　　靜態(tài)存儲(chǔ)單元（SRAM）

　　●存儲(chǔ)原理：由觸發(fā)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

　　●單元結(jié)構(gòu)：六管NMOS或OS構(gòu)成

　　●優(yōu)點(diǎn)：速度快、使用簡(jiǎn)單、不需刷新、靜態(tài)功耗極低；常用作Cache

　　●缺點(diǎn)：元件數(shù)多、集成度低、運(yùn)行功耗大

　　●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)

　　動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元（DRAM）

　　●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：?jiǎn)喂芑締卧?/span>

　　●刷新(再生)：為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信息丟失，必須定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作

　　●刷新時(shí)間：定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間必須小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間（小于2ms）。

　　●優(yōu)點(diǎn)： 集成度遠(yuǎn)高于SRAM、功耗低，價(jià)格也低

　　●缺點(diǎn)：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計(jì)算機(jī)中，DRAM常用于作主存儲(chǔ)器。

　　盡管如此，由于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

　　6、其他

　　RAM:一種音頻格式，可以用千千靜聽播放。RA、RAM和RM都是Real公司成熟的網(wǎng)絡(luò)音頻格式，采用了“音頻流”技術(shù)，所以非常適合網(wǎng)絡(luò)廣播。在制作時(shí)可以加入版權(quán)、演唱者、制作者、Mail和歌曲名稱等信息。

　　RA可以稱為互聯(lián)網(wǎng)上多媒體傳播的霸主，適合于網(wǎng)絡(luò)上進(jìn)行實(shí)時(shí)播放，是目前在線收聽網(wǎng)絡(luò)音樂(lè)最好的一種格式。

　　RAM：角色/職責(zé)分配矩陣，就是將WBS（工作分解結(jié)構(gòu)）中的每一項(xiàng)工作指派到OBS（組織分解結(jié)構(gòu)）中的執(zhí)行人員所形成的一個(gè)矩陣，是人力資源管理用詞。

　　RAM: Radar absorbing Material 雷達(dá)吸波材料，是指能夠通過(guò)自身的吸收作用減小目標(biāo)雷達(dá)散射截面(RCS)的材料。

　　RAM: Relative Atomic Mass相對(duì)原子質(zhì)量（原子量）