指機器設(shè)備本身因素所產(chǎn)生的偽影。1.化學(xué)位移偽影指原子核因所處的分子環(huán)境不同,質(zhì)子共振頻率出現(xiàn)差異而形成的圖像失真,稱為化學(xué)位移偽影。高場強MR機器比低場強MR機器化學(xué)位移偽影顯著,常發(fā)生在脂質(zhì)含量差異較大的兩種組...[繼續(xù)閱讀]
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指機器設(shè)備本身因素所產(chǎn)生的偽影。1.化學(xué)位移偽影指原子核因所處的分子環(huán)境不同,質(zhì)子共振頻率出現(xiàn)差異而形成的圖像失真,稱為化學(xué)位移偽影。高場強MR機器比低場強MR機器化學(xué)位移偽影顯著,常發(fā)生在脂質(zhì)含量差異較大的兩種組...[繼續(xù)閱讀]
運動偽影是指由人體生理運動、自主性運動及病人躁動不安產(chǎn)生的偽影,表現(xiàn)在相位編碼方向上產(chǎn)生間斷的條弧形的陰影。...[繼續(xù)閱讀]
如果金屬異物尤其是鐵磁性物質(zhì),不慎帶入磁場,干擾了主磁場的均勻性,在金屬異物周圍出現(xiàn)低信號盲區(qū)或圖像出現(xiàn)空間錯位嚴(yán)重失真變形。...[繼續(xù)閱讀]
MRI應(yīng)用于臨床的時間盡管不長,但已顯示了它強大的潛力。MRI在顯示顱頸結(jié)合部、顱底、后顱凹及脊髓疾病方面明顯優(yōu)于CT。對中樞神經(jīng)系統(tǒng)疾病的診斷具有較高的敏感性,例如:脫髓鞘疾病、腦梗死、Chiari畸形、脊索瘤、垂體瘤、錯構(gòu)...[繼續(xù)閱讀]
1.大腦皮質(zhì)表面層面一般層面定位在離顱頂內(nèi)板10mm以下,距側(cè)腦室頂20~25mm。大腦頂部表面的腦回的灰質(zhì)和腦溝顯示非常清晰。溝回界面十分醒目,主要畫面被頂額葉所占據(jù),額葉僅占前約1/4區(qū)域,枕葉不能窺見,腦溝回均貼緊顱內(nèi)板,大...[繼續(xù)閱讀]
主要掌握矢狀正中層面。1.矢狀正中層面胼胝體嘴、膝、體、壓部顯示良好,還可見前聯(lián)合、乳頭體、穹隆、室間孔、第三腦室下部、視交叉隱窩、漏斗隱窩、垂體蒂、中間塊、松果體及其隱窩、后聯(lián)合。穹隆上方為側(cè)腦室,后為丘腦...[繼續(xù)閱讀]
顱腦正常MRI冠位見圖2-3-A至圖2-3-K。要重點掌握四個層面的正常解剖,自前至后為:1.額葉中部層面該層面于外耳道前3cm處,中線側(cè)自上至下為額上回、扣帶溝、扣帶回、胼胝溝、胼胝體回、胼胝體、直回等。中線縱裂內(nèi)有大腦鐮、胼胝...[繼續(xù)閱讀]
圖2-4-A皮層區(qū)圖2-4-B皮層下區(qū)圖2-4-C半卵圓中心區(qū)圖2-4-D放射冠及側(cè)腦室體區(qū)圖2-4-E側(cè)腦室區(qū)圖2-4-F基底節(jié)區(qū)圖2-4-G額底及海馬回區(qū)圖2-4-H海馬及中腦區(qū)圖2-4-I顳葉及橋腦區(qū)圖2-4-J橋小腦角區(qū)圖2-4-K延髓及小腦區(qū)圖2-4-L延髓及小腦扁桃體區(qū)...[繼續(xù)閱讀]
圖2-5-A前角平面圖2-5-B視交叉平面圖2-5-C側(cè)室體前部平面圖2-5-D室間孔平面圖2-5-E海馬平面圖2-5-F海馬平面圖2-5-G側(cè)室體中部平面圖2-5-H中腦平面圖2-5-I中腦、橋腦平面圖2-5-J四疊體平面圖2-5-K四疊體池平面圖2-5-L小腦平面...[繼續(xù)閱讀]
圖2-6-A皮層區(qū)圖2-6-B皮層下區(qū)圖2-6-C半卵圓中心圖2-6-D放射冠區(qū)圖2-6-E側(cè)腦室區(qū)圖2-6-F基底節(jié)區(qū)圖2-6-G三腦室下部圖2-6-H大腦腳區(qū)圖2-6-I橋腦區(qū)圖2-6-J橋小腦角區(qū)圖2-6-K小腦及延髓區(qū)圖2-6-L延髓及小腦扁桃...[繼續(xù)閱讀]