晶體管電流放大系數(shù)近似等于集電極電流IC與基極電流IB之比,有公式hFE≈IC/IB(3-14)測(cè)量晶體管hFE的電路如圖3-13所示,測(cè)量范圍是0~1000(倍)?,F(xiàn)以NPN管為例(見(jiàn)圖3-13(b)),由R1和RP組成的偏置電路,可提供大約10μA的基極電流。通過(guò)晶體管放 (本文共 583 字 , 2 張圖 ) [閱讀本文] >>
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 晶體管電流放大系數(shù)近似等于集電極電流IC與基極電流IB之比,有公式hFE≈IC/IB(3-14)測(cè)量晶體管hFE的電路如圖3-13所示,測(cè)量范圍是0~1000(倍)?,F(xiàn)以NPN管為例(見(jiàn)圖3-13(b)),由R1和RP組成的偏置電路,可提供大約10μA的基極電流。通過(guò)晶體管放 (本文共 583 字 , 2 張圖 ) [閱讀本文] >>