PECVD

　　為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).

　　實驗機理：是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。

　　優(yōu)點：

　　基本溫度低；沉積速率快；成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂。

　　缺點如下：

　　1.設(shè)備投資大、成本高，對氣體的純度要求高；

　　2.涂層過程中產(chǎn)生的劇烈噪音、強光ont color="#136ec2">輻射、有害氣體、金屬蒸汽粉塵等對人體有害；

　　3.對小孔孔徑內(nèi)表面難以涂層等。

　　例子：在PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應。襯底溫度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作為集成電路最后的鈍化保護層，提高集成電路的可靠性。

　　幾種PECVD裝置

　　圖（a）是一種最簡單的電感耦合產(chǎn)生等離子體的PECVD裝置，可以在實驗室中使用。

　　圖b）它是一種平行板結(jié)構(gòu)裝置。襯底放在具有溫控裝置的下面平板上，壓強通常保持在133Pa左右，射頻電壓加在上下平行板之間，于是在上下平板間就會出現(xiàn)電容耦合式的氣體放電，并產(chǎn)生等離子體。

　　圖（c）是一種擴散爐內(nèi)放置若干平行板、由電容式放電產(chǎn)生等離子體的PECVD裝置。它的設(shè)計主要為了配合工廠生產(chǎn)的需要，增加爐產(chǎn)量。