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3D NAND

3D NAND閃存是一種新興的閃存類型,通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。

  固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限,容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間,但更高的成本也拉高了硬盤的售價。

  對于這個問題,英特爾可能已經(jīng)在3D NAND當(dāng)中找到了解決辦法。3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種技術(shù),它的概念其實非常簡單:不同于將存儲芯片放置在單面,英特爾和鎂光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。這樣一來,單個MLC閃存芯片上可以增加最高32GB的存儲空間,而單個TLC閃存芯片可增加48GB。

  3D NAND閃存是一種新興的閃存類型,通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。

  平面結(jié)構(gòu)的NAND閃存已接近其實際擴展極限,給半導(dǎo)體存儲器行業(yè)帶來嚴峻挑戰(zhàn)。新的3D NAND技術(shù),垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元,具備卓越的精度?;谠摷夹g(shù),可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達三倍的存儲設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量,進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低,以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設(shè)備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。


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